Изобретения Сибирского отделения РАН за 2001 год - Реферативный указатель
Rambler's Top100
 
1997    1998    1999    2000    2001   

Изобретения Сибирского отделения РАН

Реферативный указатель
патентов за 2001 год

 
16.
(11) Номер патента: 2162734
(46) Дата публикации: 10.02.2001
(51) МПК7: B 01 J 3/06
(21) Номер заявки: 99104309/12
(22) Дата подачи заявки: 23.02.1999
(71) Заявитель: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН, ООО "МАИН"
(72) Изобретатель: Чепуров А.И., Федоров И.И., Сонин В.М., Багрянцев Д.Г., Чепуров А.А., Жимулев Е.И., Григораш Ю.М.
(73) Патентообладатель: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН, ООО "МАИН"
(98) Адрес для переписки: 630058, г.Новосибирск, ул. Русская 43, КТИ МК СО РАН
(54) РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ АСИММЕТРИЧНО ЗОНАЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА
(57) Изобретение относится к выращиванию монокристаллов алмаза на многопуансонных аппаратах типа "БАРС". Технический результат: получение асимметрично зональных кристаллов алмаза общим количеством 20 - 30 шт., где наиболее дефектная часть кристалла локализована с одного края кристалла в зоне затравки. Такие алмазы предназначены для изготовления различных видов однокристального алмазного инструмента. Реакционная ячейка содержит соосно установленные цилиндрической формы нагревательный элемент с токовводными крышками и токовводными стержнями, запирающие ячейку таблетки и внутреннюю изолирующую втулку, в полости которой размещены шихта и подложка, выполненная с соосным выступом высотой 0,2-0,3 мм и диаметром, составляющим 0,3-0,5 диаметра подложки. По периметру подложки впрессованы затравочные кристаллы, расположенные в виде двух колец на расстоянии, не превышающем размеры выращиваемых кристаллов, причем внутреннее кольцо затравочных кристаллов впрессовано на выступе подложки на расстоянии 0,6-0,8 мм от внешнего края выступа, а внешнее - на расстоянии 0,8-1,0 мм от внешнего края подложки, и сориентированные так, чтобы одно из ребер октаэдра затравочных кристаллов было параллельно касательной к окружности края подложки, а затравочные поверхности соответствовали плоскости октаэдра {111} с отклонением от плоскостности не более чем на 3°. Кроме того, состав материала подложки определен следующим соотношением компонентов, вес.%:
ZrO2    70 - 80;
MgO    5 - 10;
CsCl    15 - 20.
2 ил.


[ Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English pages ]
Направляйте пожелания и письма: www@prometeus.nsc.ru
© 1997-2006 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика посещений сервера
Rambler's Top100

Посещение "Указателя изобретений 2001 г." N 3244 c 10.02.2003