Изобретения Сибирского отделения РАН за 1998 год - Реферативный указатель
Rambler's Top100
 
1997    1998    1999    2000    2001   

Изобретения Сибирского отделения РАН

Реферативный указатель
патентов за 1998 год

 
244.
(11) 2112300
(46) 27.05.98
(51) 6 Н 01 L 21/308
(21) 95103451/25
(22) 10.03.95
(71) Институт физики полупроводников СО РАН, Принц Виктор Яковлевич, Селезнев Владимир Александрович, Принц Александр Викторович
(72) Принц В.Я., Селезнев В. А, Принц А В.
(73) Институт физики полупроводников СО РАН, Принц Виктор Яковлевич, Селезнев Владимир Александрович, Принц Александр Викторович
(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАЩИТНОЙ МАСКИ ДЛЯ НАНОЛИТОГРАФИИ
(57) Использование: в технологии микро- и наноэлектроники, для изготовления защитной маски, необходимой для производства твердотельных приборов с характерными нанометровыми размерами элементов. Сущность изобретения: при изготовлении защитной маски для нанолитографии под монокристаллическим защитным слоем формируют вспомогательный слой, который селективно вытравливают под локальными областями защитного слоя, предназначенными для формирования окон, а в самих локальных областях слоя изготавливают концентраторы напряжений и создают механические напряжения, приводящие к контролируемому трещинообразованию. Защитный и вспомогательный слои формируют в едином технологическом процессе при выращивании твердотельной структуры. 1 3. п. ф-лы, 4 ил. 
[ Начало | О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English pages ]
Направляйте пожелания и письма: www@prometeus.nsc.ru
© 1997-2006 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика посещений сервера
Rambler's Top100

Посещение "Указателя изобретений 1998 г." N 3462 c 18.11.2002