Навигация
УголУгол
 
 1957-2007 
АСЕЕВ АЛЕКСАНДР ЛЕОНИДОВИЧ
 
  
Асеев А.Л.
 
 


Действительный член (2006), член-корреспондент (2000) РАН, доктор физико-математических наук (1990). Физик. Специалист по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых систем пониженной размерности, микро- и наноструктур.

Родился 24 сентября 1946 г. в Улан-Удэ. Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1968).

В Сибирском отделении с 1968 г. По окончании вуза работал в Институте физики полупроводников (ИФП) - зав. лабораторией (с 1986), зам. директора по науке (с 1994), директор (с 1998). В 1999-2003 - и.о. генерального директора, генеральный директор Объединенного института физики полупроводников СО РАН. С 2003 г. - директор ИФП. Одновременно (с 2002) профессор кафедры физики полупроводников Томского государственного университета.

Научная деятельность посвящена изучению атомных механизмов формирования полупроводниковых систем пониженной размерности.

А.Л.Асеев получил принципиально новые данные о роли метастабильных конфигураций точечных дефектов в реакциях взаимодействия между собой, с поверхностностью, атомами примесей и дислокациями в кристаллах кремния и германия. На поверхности кристаллов кремния впервые обнаружил обратимые переходы системы регулярно расположенных моноатомных ступеней при сублимации и росте примесно-индуцированных сверхструктурных доменов. Исследовал элементарные акты процессов эпитаксиального роста на кремнии. Результаты экспериментов стали основой для развития технологии молекулярно-лучевой эпитаксии и создания ряда приборов полупроводниковой электроники. Ведет работы по получению нанотранзисторов в структурах кремний-на-изоляторе, по разработке новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии, по материаловедению кремния, направленные на получение высокосовершенных кристаллов большого диаметра.

Под его руководством в институте создан современный научно-технологический комплекс для исследования полупроводниковых микро- и наноструктур с квантовыми свойствами, обоснована технология молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий - ртуть - теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств.

Член Президиума СО РАН (с 2001), научных советов РАН по физике полупроводников, физико-химическим основам полупроводникового материаловедения, электронной микроскопии. Зам. председателя Объединенного ученого совета по физико-техническим наукам СО РАН, член бюро Совета директоров институтов Новосибирского научного центра СО РАН, Ученого совета НГУ, редколлегий ведущих научных российских и международных журналов. В 1996-2005 гг. входил в состав Совета Международного центра по материаловедению и электронной микроскопии (Германия).

 
ОСНОВНЫЕ ТРУДЫ: Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск, 1991. 148 с. (в соавт.) (изд. на англ. яз. в «Akademie Verlag». Берлин, 1994); Когерентное рассеяние в малой квантовой точке // Письма в «Журн. эксперим. и теорет. физики». 2004. Т.80, N 9. С.688-692 (в соавт.); Моноатомные ступени на поверхности кремния. Новосибирск, 2006. 242 с. (в соавт.); Нанотехнологии в полупроводниковой электронике // Вестн. РАН. 2006. Т.76, N 7. С.03-611.
ЛИТЕРАТУРА: Профессора Томского университета: Биографический словарь. Томск, 2003. Т.4: 1980-2003, ч.1. С.49-51; Наука в Сибири. 2006. N 37.
 СО РАН 
  
 
Асеев Александр Леонидович // Российская академия наук. Сибирское отделение: Персональный состав / Сост. Е.Г.Водичев и др. - Новосибирск: Наука, 2007. - С.18-19.
 
Назад ОГЛАВЛЕНИЕИМЕННОЙ УКАЗАТЕЛЬФАЙЛ PDF Продолжение
  
  
 
УголУгол
[О библиотеке | Академгородок | Новости | Выставки | Ресурсы | Библиография | Партнеры | ИнфоЛоция | Поиск | English]
  Пожелания и письма: www@prometeus.nsc.ru
© 1997-2017 Отделение ГПНТБ СО РАН (Новосибирск)
Статистика доступов: архив | текущая статистика
 

Отредактировано: Fri Feb 5 11:53:48 2010 (8,850 bytes)
Посещение 2283 с 10.01.2010